Nghiên cứu thiết kế, công nghệ chế tạo vi mạch tích hợp cho bảng mạch tín hiệu hiệu chỉnh trong cơ cấu phóng 9П516

24 lượt xem

Các tác giả

  • Trịnh Anh Văn (Tác giả đại diện) Tổng cục Công nghiệp Quốc phòng
  • Phạm Văn May Viện Tên lửa, Viện Khoa học và Công nghệ quân sự

DOI:

https://doi.org/10.54939/1859-1043.j.mst.94.2024.173-176

Từ khóa:

Vi mạch tích hợp; Bộ lọc đồng bộ; Cơ cấu phóng; Mạch hiệu chỉnh.

Tóm tắt

Bài báo trình bày Công nghệ chế tạo vi mạch tích hợp lai theo công nghệ màng dày sử dụng vật liệu gốm với các phần tử thụ động: điện trở, tụ điện, cuộn cảm, các đường dẫn, tiếp điểm được chế tạo trên bề mặt của các tấm đế cách điện theo công nghệ màng dày, các phần tử tích cực (transitor, điot…) được lắp trên tấm đế thông qua công nghệ hàn dán. Ứng dụng công nghệ vi mạch lai trên bảng mạch hiệu chỉnh trong cơ cấu phóng tổ hợp phòng không.

Tài liệu tham khảo

[1]. Đỗ Tuấn Cương.“Báo cáo tổng kết đề tài Nghiên cứu làm chủ thiết kế, công nghệ chế tạo tên lửa phòng không tầm thấp, mã số KC-I”, Viện Tên lửa, Hà Nội, (2016).

[2]. Phạm Minh Hà. “Kỹ thuật mạch điện tử”, Nhà xuất bản Khoa học và Kỹ thuật, Hà Nội, (1997).

Tải xuống

Đã Xuất bản

22-04-2024

Cách trích dẫn

Trịnh Anh Văn, và M. Phạm Văn. “Nghiên cứu thiết kế, công nghệ Chế tạo Vi mạch tích hợp Cho bảng mạch tín hiệu hiệu chỉnh Trong Cơ cấu phóng 9П516”. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học Và Công nghệ quân sự, số p.h 94, Tháng Tư 2024, tr 173-6, doi:10.54939/1859-1043.j.mst.94.2024.173-176.

Số

Chuyên mục

Thông tin khoa học

##category.category##